近日，在中國(guó)存儲(chǔ)巨頭長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的一則低價(jià)策略沖擊下，全球內(nèi)存市場(chǎng)陷入了激烈的多空拉鋸。據(jù)報(bào)道，該公司針對(duì)32GB DDR4-3200 ECC內(nèi)存模組報(bào)出了 ‌138美元‌ 的“破盤價(jià)”，僅相當(dāng)于當(dāng)前國(guó)際市場(chǎng)主流價(jià)格300至400美元的‌三分之一左右‌，瞬間在全球范圍內(nèi)引發(fā)震動(dòng)。

　　這一遠(yuǎn)低于市價(jià)的報(bào)價(jià)直接點(diǎn)燃了市場(chǎng)對(duì)產(chǎn)業(yè)將重返慘烈競(jìng)爭(zhēng)的憂慮。投資者用腳投票，直接導(dǎo)致此前有所回暖的內(nèi)存板塊股價(jià)普遍承壓。其中，DRAM產(chǎn)業(yè)的華邦電與南亞科首當(dāng)其沖，當(dāng)日分別暴跌9.05%和5.61%;此外，群聯(lián)、品安、晶豪科、至上、威剛、宇瞻及華東等個(gè)股的跌幅均超過(guò)5%，市場(chǎng)恐慌情緒顯而易見(jiàn)。

　　全球內(nèi)存市場(chǎng)波動(dòng)加劇，源于其內(nèi)部正經(jīng)歷結(jié)構(gòu)性變革。在AI運(yùn)算需求爆發(fā)式增長(zhǎng)的驅(qū)動(dòng)下，市場(chǎng)自2025年底已進(jìn)入新一輪超級(jí)上漲循環(huán)，導(dǎo)致多款電子產(chǎn)品在2026年的生產(chǎn)計(jì)劃均被打亂。借此行業(yè)機(jī)遇，以長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)為代表的中國(guó)廠商正加快布局，力圖搶占更大市場(chǎng)份額。

　　長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)步伐尤為迅猛。公司已決定加速擴(kuò)建上海廠區(qū)，其設(shè)計(jì)規(guī)模將達(dá)到合肥總部的2到3倍，主攻服務(wù)器、個(gè)人電腦及車用電子所需的DRAM產(chǎn)品。按規(guī)劃，新廠區(qū)將于‌2026年下半年啟動(dòng)設(shè)備裝機(jī)，并在2027年正式投產(chǎn)‌。

　　與此同時(shí)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也有新動(dòng)作。其武漢三期項(xiàng)目的量產(chǎn)時(shí)間有望從原計(jì)劃的2027年‌提前至2026年下半年‌。更重要的是，該公司調(diào)整了發(fā)展戰(zhàn)略，計(jì)劃將新廠大約‌50%的產(chǎn)能用于生產(chǎn)DRAM產(chǎn)品‌，從而開啟NAND與DRAM兩大領(lǐng)域并行發(fā)展的新階段。

　　行業(yè)分析機(jī)構(gòu)Yole Group的亞洲區(qū)主管Gary Huang對(duì)此評(píng)論道，持續(xù)吃緊的全球內(nèi)存供給為后起廠商創(chuàng)造了難得的市場(chǎng)契機(jī)。加之中國(guó)本土強(qiáng)有力的政策支持，使得越來(lái)越多的客戶主動(dòng)尋找替代性供應(yīng)來(lái)源，這不僅為中國(guó)存儲(chǔ)企業(yè)提供了增長(zhǎng)新動(dòng)能，也將深刻重塑全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局。