據(jù)外媒Tomshardware報道，中國知名3D NAND閃存制造商長江存儲近日再次將美光告上法庭，在美國加利福尼亞州北區(qū)法院指控美光侵犯了其11項專利，涉及3D NAND Flash和DRAM產(chǎn)品。
長江存儲不僅要求法院命令美光停止在美國銷售這些涉嫌侵權(quán)的存儲產(chǎn)品，還要求美光支付專利使用費。具體指控稱，美光的96層(B27A)、128層(B37R)、176層(B47R)和232層(B58R)3D NAND Flash，以及部分DDR5 SDRAM產(chǎn)品(Y2BM系列)，侵犯了長江存儲在美國提交的11項專利或?qū)＠暾垺?/p>
事實上，長江存儲此前已經(jīng)在2023年11月因8項專利在美國起訴美光;2024年6月，長江存儲又在美國起訴了美光資助的咨詢公司，指控其散布虛假信息。如今，長江存儲再次采取法律行動，展示了其捍衛(wèi)知識產(chǎn)權(quán)的堅定決心。
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