2026年,三星晶圓代工業(yè)務(wù)迎來積極信號,其2nm制程節(jié)點(diǎn)的研發(fā)與客戶接洽均進(jìn)展順利。最新動(dòng)態(tài)顯示,三星2nm GAA工藝良品率已攀升至60%,正穩(wěn)步邁向70%的目標(biāo)值。

根據(jù)行業(yè)分析,三星正加碼對前沿半導(dǎo)體技術(shù)的投資,目標(biāo)在2030年前完成1nm制程節(jié)點(diǎn)的研發(fā),并于同年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),以確立其在下一代先進(jìn)制程代工市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。與此同時(shí),公司還計(jì)劃深化2nm節(jié)點(diǎn)的布局,拓展不同細(xì)分工藝組合,以進(jìn)一步吸引核心客戶。
在1nm節(jié)點(diǎn)上,三星預(yù)計(jì)將采用全新的“Forksheet”叉片晶體管架構(gòu)。這實(shí)際上是對其從3nm節(jié)點(diǎn)引入的GAA(全環(huán)繞柵極)晶體管技術(shù)的進(jìn)一步升級。GAA結(jié)構(gòu)將電流通道從原有的三個(gè)面擴(kuò)展至四個(gè)面,優(yōu)化了功耗效率;而Forksheet技術(shù)則在此之上,通過引入絕緣墻來縮小晶體管間距,能更有效地利用芯片空間,從而在相同面積內(nèi)集成更多晶體管。
此前,三星已在SAFE 2025活動(dòng)上展示了其第三代2nm工藝“SF2P+”。此外,專為特斯拉AI6芯片開發(fā)的定制工藝“SF2T”也在推進(jìn)中。三星計(jì)劃于今年開始部署其第三代2nm基礎(chǔ)工藝(SF2P),并在明年上線增強(qiáng)版本(SF2P+)。





























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