根據(jù)Counterpoint最新市場研究數(shù)據(jù),當前全球半導體存儲市場正經(jīng)歷劇烈價格波動,內(nèi)存(DRAM)與閃存(NAND)合同價在2026年一季度顯著上漲,遠超去年四季度。

報告詳細指出,對比2025年第四季度,本年度第一季度各類產(chǎn)品漲幅普遍偏高。在個人電腦領(lǐng)域,內(nèi)存價格上漲超90%,NAND閃存更是大漲超100%;而在服務(wù)器領(lǐng)域,內(nèi)存與NAND分別激增超98%與超90%。其中,部分高端DDR5內(nèi)存套裝的市場零售價已達去年四季度的三至五倍。
這一波漲價由人工智能等領(lǐng)域的需求暴增與供需失衡推動。在經(jīng)歷去年第四季度價格上漲(PC內(nèi)存漲35%,NAND約20%;服務(wù)器內(nèi)存漲76%,NAND漲60%)的基礎(chǔ)之上,2026年價格漲勢明顯加快。
面對上述趨勢,多位業(yè)界專家對市場表示了謹慎。有分析指出,芯片廠商獲利已進入歷史新高水平,當前內(nèi)存與閃存營業(yè)利潤率已達60%左右。值得注意的是,作為通用芯片,DRAM目前的盈利能力已初次超越了專供AI等高端領(lǐng)域的高帶寬內(nèi)存。
然而,利潤高位運行或許也為未來埋下隱患。相關(guān)人士分析,持續(xù)的漲價可能抑制消費者購買意愿,給設(shè)備制造商帶來成本壓力與銷售乏力的雙重考驗。有研究則呼吁廠商采取調(diào)整采購或加推高端產(chǎn)品等舉措加以應(yīng)對。
關(guān)于后續(xù)變化,業(yè)內(nèi)普遍預測此輪漲勢將持續(xù)較長時間,內(nèi)存與閃存價格上升行情很有可能延續(xù)至2027年上半年甚至更久。這意味著市場回歸常態(tài),或需等到2027年第三、四季度或2028年上半年才會真正來臨。





























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